Apple、iPhone 6のクラッシュを受けてTLCフラッシュメモリの使用を中止

iPhone 6+の機能上の欠陥をめぐる議論が高まる中、AppleはTLC NANDフラッシュメモリ技術の使用を中止することを決定した。

11月6日、業界関係者によると、AppleはTLC NANDフラッシュメモリ技術の使用を中止することを決定した。 Appleは、64GBのiPhone 6と128GBのiPhone 6+に発生している機能上の欠陥は、TLC NANDフラッシュメモリコントローラチップの問題によるものだと考えている。コントローラチップは、2011年にAppleに買収されたSSDメーカーのAnobit社が製造したと言われている。

TLC NAND フラッシュメモリは、ソリッドステート NAND フラッシュメモリの一種です。データ保存容量はSLCメモリの3倍、MLCメモリの1.5倍です。何よりも、TLC フラッシュはより手頃な価格です。ただし、データの読み取りと書き込みは SLC や MLC よりも遅くなります。

この決定により、Appleは将来の64GBのiPhone6と128GBのiPhone6+にMLC NANDフラッシュメモリ技術を採用する予定です。 Appleはまた、TLC NANDフラッシュメモリをすでに搭載しているiPhoneに1年以内にiOS 8.1.1アップデートを提供する予定だと述べた。

10月31日の発売日に、Appleは韓国だけでiPhone 6とiPhone 6+を10万台販売した。韓国の一部携帯通信会社では64GBと128GBのモデルが売り切れとなっている。

MLC NAND は 16GB の iPhone 6、iPhone 6+、および一部の 64GB モデルで使用されていますが、128GB モデルではすべて TLC NAND が使用されています。 Apple はコスト削減のために TLC NAND を使用しているようです。以前は、TLC NAND は一部の iPad でも使用されていました。

しかし、アップルの最新スマートフォンは機能上の欠陥により動作が遅くなると不満を訴える韓国の消費者が増えている。多くの64GB iPhone 6所有者がオンラインコミュニティでAppleに電話機の交換を要請している。 11月3日、海外の一部ITメディアはAppleがiPhone 6+をリコールする可能性について推測した。

今日頭条の青雲計画と百家曼の百+計画の受賞者、2019年百度デジタル著者オブザイヤー、百家曼テクノロジー分野最人気著者、2019年捜狗テクノロジー文化著者、2021年百家曼季刊影響力のあるクリエイターとして、2013年捜狐最優秀業界メディア人、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト北京3位、2015年光芒体験賞、2015年中国ニューメディア起業家コンテスト決勝3位、2018年百度ダイナミック年間有力セレブなど、多数の賞を受賞しています。